二氯硅烷，缩写DCS，是一种无机化合物，化学式为H2SiCl2。

CAS：4109-96-0
中文别名：三氯矽烷;
英文别名：dihydrogendichlorosilane;dichloromonosilane;dichloro-silane;dihydridodichlorosilane;dichlordisilane;SiCl2;Silane,dichloro;bis chlorosilane;Silicon chloride hydride;
分子式：Cl2H2Si
分子量：101.007
精确质量：99.9303
Psa：0.0
Logp：0.4628

EINECS号：223-888-3

外观与性状：无色气体
密度：1,22 g/cm3
沸点：8.3°C(lit.)
熔点：−122°C(lit.)
闪点：-37°C
水溶解性：decomposes
稳定性：Stable. Extremely flammable; note very wide explosion limits. Reacts violently with water, alcohols, strong oxidizing agents, bases.
蒸汽密度：3.5 (vs air)
蒸汽压：1254 mm Hg ( 20 °C)

RTECS号：VV3050000
安全说明：S26-S36/37/39-S45
危险类别码：R12; R14; R23; R34
WGK Germany：1
危险品运输编码：UN 2189 2.3
危险类别：2.3
危险品标志：F+; T

生产方法
1.将硅粉和氯化氢按适当比例进行反应,生成二氯二氢硅,经蒸馏分离三氯氢硅,把得到的二氯二氢硅进行精制,制得电子级高纯二氯二氢硅成品。 1.用于制造半导体,尤其是在外延法工艺中作为硅源。二氯二氢硅主要用于多晶硅外延生长以及化学气相沉积二氧化硅和氮化硅。它的硅含量比三氯氢硅和四氯化硅高,二氯二氢硅沉积硅更有效,且淀积温度比其他氯硅烷低。采用二氯二氢硅在降低温度下沉积厚层所需时间大大低于采用硅烷所需时间。由于二氯二氢硅的沉积速率与采用其他氯硅烷相比对温度敏感性小,因此可以采用调节氢气流中二氯二氢硅浓度的方法来控制沉积速率,而且不会出现鼓泡所带来的不准确性和机械问题。
用途
1.用于制造半导体,尤其是在外延法工艺中作为硅源。二氯二氢硅主要用于多晶硅外延生长以及化学气相沉积二氧化硅和氮化硅。它的硅含量比三氯氢硅和四氯化硅高,二氯二氢硅沉积硅更有效,且淀积温度比其他氯硅烷低。采用二氯二氢硅在降低温度下沉积厚层所需时间大大低于采用硅烷所需时间。由于二氯二氢硅的沉积速率与采用其他氯硅烷相比对温度敏感性小,因此可以采用调节氢气流中二氯二氢硅浓度的方法来控制沉积速率,而且不会出现鼓泡所带来的不准确性和机械问题。