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化合物简介
基本信息
CAS：7440-55-3
中文别名：镓锭;金属镓;4,6-二硝基-2-仲丁;4,6-二硝基-2-仲丁基苯酚乙醇胺盐;
英文别名：GALLIUM;GALLIUM 99+ 5 G;(67)gallium;Gallium (Germ.);GalliummetalN;Galliumingots;gallium pellet;
分子式：GaH3
分子量：72.7468
精确质量：71.949
Psa：0.0
Logp：-0.0433
中文别名：镓锭;金属镓;4,6-二硝基-2-仲丁;4,6-二硝基-2-仲丁基苯酚乙醇胺盐;
英文别名：GALLIUM;GALLIUM 99+ 5 G;(67)gallium;Gallium (Germ.);GalliummetalN;Galliumingots;gallium pellet;
分子式：GaH3
分子量：72.7468
精确质量：71.949
Psa：0.0
Logp：-0.0433
编号系统
UNII：CH46OC8YV4
物化性质
外观与性状：淡灰色固体
密度：5.904g/mLat 25°C(lit.)
沸点：2403°C(lit.)
熔点：29.8°C(lit.)
稳定性：Stable, but moisture sensitive. Incompatible with strong acids, strong bases, halogens, strong oxidizing agents.
储存条件：库房通风低温干燥
密度：5.904g/mLat 25°C(lit.)
沸点：2403°C(lit.)
熔点：29.8°C(lit.)
稳定性：Stable, but moisture sensitive. Incompatible with strong acids, strong bases, halogens, strong oxidizing agents.
储存条件：库房通风低温干燥
安全信息
RTECS号：LW8600000
安全说明：S26-S45-S36/37/39-S36-S28-S27
危险类别码：R36/37/38
WGK Germany：3
危险品运输编码：UN 3264 8/PG 3
危险类别：8
包装等级：III
危险品标志：Xi
安全说明：S26-S45-S36/37/39-S36-S28-S27
危险类别码：R36/37/38
WGK Germany：3
危险品运输编码：UN 3264 8/PG 3
危险类别：8
包装等级：III
危险品标志：Xi
生产方法及用途
生产方法
1.镓是一种稀散元素，无独立矿床。主要从炼锌废渣和炼铝废渣中回收提取。工业生产以工业级金属镓为原料，用电解法、减压蒸馏法、分步结晶法、区域熔融法进一步提纯，制得高纯镓。电解法以99.99%的工业级金属镓为原料，经电解精炼等工艺，制得高纯镓的纯度≥99.999%。以≥99．999％的高纯镓为原料，经拉制单晶或其他提纯工艺进一步提纯，制得高纯镓的纯度≥99．99999％。 镓主要用作制半导体化合物，如砷化镓、磷化镓等，以及用作锗、硅半导体的掺杂元素。也用于制镓合金，如镓钒、镓锂、镓锆等。可用作超导体。与铋、锌、铅等可制成低熔合金。高纯镓主要用于生产GaAs、GaN、Gap等化合物半导体材料、超导材料、高纯合金、核反应堆的热载体等。也可用作单晶硅、单晶锗掺杂元素。纯度为 99999%（7N镓）主要用于制造砷化镓、磷化镓、锑化镓等，用于制造LED和红外器件。纯度为 999999%（8N镓），主要用作分子束外延（MBE）的镓源制造超晶格、量子阱等最先进的半导体器件。高纯镓还可以作为永磁材料等合金的添加剂。用于制造化合物半导体材料和高纯合金。在核反应堆中用作热交换介质。
用途
镓主要用作制半导体化合物，如砷化镓、磷化镓等，以及用作锗、硅半导体的掺杂元素。也用于制镓合金，如镓钒、镓锂、镓锆等。可用作超导体。与铋、锌、铅等可制成低熔合金。高纯镓主要用于生产GaAs、GaN、Gap等化合物半导体材料、超导材料、高纯合金、核反应堆的热载体等。也可用作单晶硅、单晶锗掺杂元素。纯度为 99999%（7N镓）主要用于制造砷化镓、磷化镓、锑化镓等，用于制造LED和红外器件。纯度为 999999%（8N镓），主要用作分子束外延（MBE）的镓源制造超晶格、量子阱等最先进的半导体器件。高纯镓还可以作为永磁材料等合金的添加剂。用于制造化合物半导体材料和高纯合金。在核反应堆中用作热交换介质。
1.镓是一种稀散元素，无独立矿床。主要从炼锌废渣和炼铝废渣中回收提取。工业生产以工业级金属镓为原料，用电解法、减压蒸馏法、分步结晶法、区域熔融法进一步提纯，制得高纯镓。电解法以99.99%的工业级金属镓为原料，经电解精炼等工艺，制得高纯镓的纯度≥99.999%。以≥99．999％的高纯镓为原料，经拉制单晶或其他提纯工艺进一步提纯，制得高纯镓的纯度≥99．99999％。 镓主要用作制半导体化合物，如砷化镓、磷化镓等，以及用作锗、硅半导体的掺杂元素。也用于制镓合金，如镓钒、镓锂、镓锆等。可用作超导体。与铋、锌、铅等可制成低熔合金。高纯镓主要用于生产GaAs、GaN、Gap等化合物半导体材料、超导材料、高纯合金、核反应堆的热载体等。也可用作单晶硅、单晶锗掺杂元素。纯度为 99999%（7N镓）主要用于制造砷化镓、磷化镓、锑化镓等，用于制造LED和红外器件。纯度为 999999%（8N镓），主要用作分子束外延（MBE）的镓源制造超晶格、量子阱等最先进的半导体器件。高纯镓还可以作为永磁材料等合金的添加剂。用于制造化合物半导体材料和高纯合金。在核反应堆中用作热交换介质。
用途
镓主要用作制半导体化合物，如砷化镓、磷化镓等，以及用作锗、硅半导体的掺杂元素。也用于制镓合金，如镓钒、镓锂、镓锆等。可用作超导体。与铋、锌、铅等可制成低熔合金。高纯镓主要用于生产GaAs、GaN、Gap等化合物半导体材料、超导材料、高纯合金、核反应堆的热载体等。也可用作单晶硅、单晶锗掺杂元素。纯度为 99999%（7N镓）主要用于制造砷化镓、磷化镓、锑化镓等，用于制造LED和红外器件。纯度为 999999%（8N镓），主要用作分子束外延（MBE）的镓源制造超晶格、量子阱等最先进的半导体器件。高纯镓还可以作为永磁材料等合金的添加剂。用于制造化合物半导体材料和高纯合金。在核反应堆中用作热交换介质。
