氮化铟（InN）是一种小能隙的半导体材料，在太阳能电池及其他高速电子学上有潜在的应用。 依温度的不同，氮化铟的能阶可以到约~0.7 eV（以往认定的值是1.97 eV）。其有效电子质量（英语：electron mass）已由高磁场的测量所确认 ,， m*=0.055 m0。氮化铟和氮化镓的合金为三元体系的氮化铟镓，其直接能阶从红外线（0.69 eV）延伸到紫外线（3.4 eV）。 目前有关氮化铟的研究是发展氮化物基础半导体的太阳能电池。利用合金氮化铟镓（英语：indium gallium nitride），可以对应太阳光的频谱。氮化铟的能阶其波长可以长到1900nm。不过这类太阳电池要商品化，仍有许多困难，利用氮化铟及高含铟的氮化铟镓制作p型半导体就是挑战之一。氮化铟和其他氮化物（如 氮化镓及氮化铝）的异质外延生长也已证实相当困难。 氮化铟的多晶薄膜有高导电性，在氦的温度下甚至有超导性。其超导转态温度为Tc依其薄膜结构而定，会低于4 K。其超导性在强磁场（数个特斯拉）下仍然存在，这和金属在磁场为 0.03 T时超导性就会下降的特性不同。其超导的特性是因为金属铟的炼状结构或是奈米簇，其中依照金兹堡－朗道方程，较小的尺寸增高了临界磁场。

CAS：25617-98-5
中文别名：氮化铟;
英文别名：indium nitride;nitridoindium;EINECS 247-130-6;
分子式：InN
分子量：128.825
精确质量：128.907
Psa：23.79
Logp：0.01508

PubChem号：24872583
MDL号：MFCD00016152
EINECS号：247-130-6

密度：6.88 g/cm3

生产方法
在快速的氨气流中加热(N