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化合物简介
氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。
基本信息
CAS：25617-97-4
中文别名：
英文别名：Gallium nitride;EINECS 247-129-0;nitridogallium;Gallium mononitride;
分子式：GaN
分子量：83.7297
精确质量：82.9286
Psa：23.79
Logp：-0.14072
中文别名：
英文别名：Gallium nitride;EINECS 247-129-0;nitridogallium;Gallium mononitride;
分子式：GaN
分子量：83.7297
精确质量：82.9286
Psa：23.79
Logp：-0.14072
编号系统
EINECS号：247-129-0
MDL号：MFCD00016108
RTECS号：LW9640000
MDL号：MFCD00016108
RTECS号：LW9640000
物化性质
外观与性状：灰色/黄色结晶固体
熔点：800ºC
稳定性：Stability Store under dry argon. Water and moisture sensitive. Incompatible with strong oxidizing agents.
熔点：800ºC
稳定性：Stability Store under dry argon. Water and moisture sensitive. Incompatible with strong oxidizing agents.
安全信息
安全说明：S22; S24/25
危险类别码：R36; R37; R38; R43
危险类别码：R36; R37; R38; R43