氮化铝(Aluminium Nitride，AlN)是铝的氮化物。纤锌矿状态的氮化铝(w-AlN)是一种宽带隙(Wide-bandgap Semiconductor)的半导体材料(6.2 eV)。故也是可应用于深紫外线光电子学的半导体物料。

CAS：24304-00-5
中文别名：氮化铝/纳米氮化铝;
英文别名：nitridoaluminum;azanylidynealumane;Aluminium nitride;EINECS 246-140-8;Aluminum nitride;Aluminum Nitride;Aluminum nitride (AlN);Aluminum mononitride;
分子式：AlN
分子量：40.9882
精确质量：40.9846
Psa：23.79
Logp：0.24008

MDL号：MFCD00003429
PubChem号：24854500
EINECS号：246-140-8

外观与性状：粉末
密度：3.26g/mLat 25°C(lit.)
沸点：2517ºC
熔点：>2200°C(lit.)
水溶解性：MAY DECOMPOSE
稳定性：Stable.
储存条件：Store in a tightly closed container. Store in a cool, dry, well-ventilated area away from incompatible substances. Storage under a nitrogen blanket has been recommended. Store protected from moisture.

安全说明：S26-S37/39
危险类别码：R36/37/38
WGK Germany：3
危险品运输编码：UN3178
危险类别：4.1
包装等级：II
危险品标志：Xi
危险性防范说明：P261; P280; P305 + P351 + P338; P310
危险标志：GHS05, GHS07
信号词：Danger
危险性描述：H314; H335

生产方法
1.将氨和铝直接进行氮化反应，经粉碎、分级制得氮化铝粉末。或者将氧化铝和炭充分混合，在电炉中于1700℃还原制得氮化铝。 氮化铝陶瓷是一种高技术新型陶瓷。氮化铝基板具有极高的热导率，无毒、耐腐蚀、耐高温,热化学稳定性好等特点，是大规模集成电路，半导体模块电路和大功率器件的理想封装材料、散热材料、电路元件及互连线承载体。也是提高高分子材料热导率和力学性能的最佳添加料，氮化铝陶瓷还可用作熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、热电偶的保护管、高温绝缘件、微波介电材料、耐高温、耐腐蚀结构陶瓷及透明氮化铝微波陶瓷制品，用作高导热陶瓷生产原料及树脂填料等。氮化铝是电绝缘体，介电性能良好。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。用作高导热陶瓷生产原料、ＡｌＮ陶瓷基片原料、树脂填料等。
用途
氮化铝陶瓷是一种高技术新型陶瓷。氮化铝基板具有极高的热导率，无毒、耐腐蚀、耐高温,热化学稳定性好等特点，是大规模集成电路，半导体模块电路和大功率器件的理想封装材料、散热材料、电路元件及互连线承载体。也是提高高分子材料热导率和力学性能的最佳添加料，氮化铝陶瓷还可用作熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、热电偶的保护管、高温绝缘件、微波介电材料、耐高温、耐腐蚀结构陶瓷及透明氮化铝微波陶瓷制品，用作高导热陶瓷生产原料及树脂填料等。氮化铝是电绝缘体，介电性能良好。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。用作高导热陶瓷生产原料、ＡｌＮ陶瓷基片原料、树脂填料等。