磷化铟（Indium phosphide，InP）是由磷和铟组成的二元半导体材料，磷化铟和砷化镓及大部分的三五族半导体相同，都是面心立方（闪锌矿）晶体结构。

CAS：22398-80-7
中文别名：磷化铟(III);
英文别名：Phosphinidyneindium(III);INDIUM(III) PHOSPHIDE;indiummonophosphide;polycrystallinelump;Indium phosphide (InP);InP;Indiumphsophidewafer;Indium phosphide wafer;
分子式：InP
分子量：145.792
精确质量：145.878
Psa：0.0
Logp：0.8612

MDL号：MFCD00016153
PubChem号：24862718
EINECS号：244-959-5
RTECS号：NL1800000

密度：4,787 g/cm3
熔点：1070°C
储存条件：库房通风低温干燥

RTECS号：NL1800000
安全说明：S24/25
WGK Germany：3
危险品运输编码：3288

生产方法
用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法，并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延，多采用In-PCl3-H2系统的歧化法，在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。气相外延将石英反应管放在双温区电炉中，已净化的高纯氢气经计量通入，氢气也用来稀释三氯化磷，此时彭泡器保持在0℃，通过反应管内的氢气线速度为1 用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要 1～ 6-μm范围内的光源和接受器。在InP衬底上生长InGaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。
用途
用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要 1～ 6-μm范围内的光源和接受器。在InP衬底上生长InGaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。