砷化镓（化学式：GaAs）是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用来制作微波集成电路[a]、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等元件。

CAS：1303-00-0
中文别名：
英文别名：EINECS 215-114-8;Gallium monoarsenide;arsanylidynegallium;GALLIUM ARSENIDE;
分子式：AsGa
分子量：144.645
精确质量：143.847
Psa：0.0
Logp：-0.3116

MDL号：MFCD00011017
EINECS号：215-114-8
PubChem号：24859765
RTECS号：LW8800000

外观与性状：灰色立方体晶体
密度：5.31g/mLat 25°C(lit.)
熔点：1238°C
储存条件：库房通风低温干燥

RTECS号：LW8800000
安全说明：S20/21; S28; S45; S60; S61
危险类别码：R23/25
WGK Germany：3
危险品运输编码：UN 1557 6.1/PG 2
海关编码：2853009022
危险类别：6.1
包装等级：II
危险品标志：T; N
危险标志：GHS08
危险性描述：H350; H372
信号词：Danger
危险性防范说明：P201; P308 + P313

生产方法
先往一端封闭的透明石英安瓿中送入装有纯镓的石英盘,然后加入纯砷,在5×10-6Torr(1Torr=133 322Pa)下,真空封口。砷的加入量为其当量的1.1～1.2倍(因为砷是利用蒸气压控制的,所以加入量必须比充满整个安瓿还要多一些)。为防止砷化镓及盘受潮湿,必须向盘里面喷砂大约150～300次。将上述安瓿装好,装有砷的A炉加热到610℃,装有镓的B炉加热到1250℃(根据安瓿的大小,可按砷摩尔量的1.1～1.2倍加入之)。 加热到610℃的砷的蒸气压为101.325kPa,与加热到1250℃的镓进行反应,产生砷化镓。经过4～5h后,将安瓿每1h往A炉拉出5～20mm,则从盘的前端逐渐生长出单晶。 用于制造光电器件(LCD),激光器(LD),场效应晶体管(FET),高电子迁移率晶体管(HEMT),异质结双极晶体管(HBT),高速器件和微波单片集成电路(MMIC),微波/毫米波集成电路(MIMIC),高速集成电路,太阳电池。
用途
用于制造光电器件(LCD),激光器(LD),场效应晶体管(FET),高电子迁移率晶体管(HEMT),异质结双极晶体管(HBT),高速器件和微波单片集成电路(MMIC),微波/毫米波集成电路(MIMIC),高速集成电路,太阳电池。