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化合物简介
锑化镓为半导体材料之一，其中分子里包含了锑和镓，属于III-V族，其能隙为 0.726ev，晶格常数是0.61 nm。锑化镓通常可以用来做红外检测器、发光二极管、晶体管、激光二极管等用具。
基本信息
CAS：12064-03-8
中文别名：
英文别名：GALLIUM ANTIMONIDE,POLYCRYST;Gallium antimonide;
分子式：GaSb
分子量：191.483
精确质量：189.829
Psa：0.0
Logp：-0.1558
中文别名：
英文别名：GALLIUM ANTIMONIDE,POLYCRYST;Gallium antimonide;
分子式：GaSb
分子量：191.483
精确质量：189.829
Psa：0.0
Logp：-0.1558
编号系统
PubChem号：24883831
MDL号：MFCD00016101
EINECS号：235-058-8
MDL号：MFCD00016101
EINECS号：235-058-8
物化性质
熔点：980ºC(lit.)
安全信息
安全说明：S61
危险类别码：R20/22
危险品运输编码：UN 1549 6.1/PG 3
危险类别：6.1
包装等级：III
危险品标志：Xn; N
危险类别码：R20/22
危险品运输编码：UN 1549 6.1/PG 3
危险类别：6.1
包装等级：III
危险品标志：Xn; N
生产方法及用途
生产方法
把20g镓、34.94g锑放进石墨盘中,装入石英管内,并用氢气流充分置换掉空气之后,然后在氢气流中加热石英管至720～730℃使其化合。 为了制得GaSb单晶,可以从石英管中慢慢取出,使熔融状态的GaSb从盘的一端开始固化形成结晶。如欲制成半导体用GaSb时,所用原料盘及石英管均应是高纯度的制品,必要时可进行区域熔融提纯。 用于制造激光器,探测器,高频器件,太阳电池。
用途
用于制造激光器,探测器,高频器件,太阳电池。
把20g镓、34.94g锑放进石墨盘中,装入石英管内,并用氢气流充分置换掉空气之后,然后在氢气流中加热石英管至720～730℃使其化合。 为了制得GaSb单晶,可以从石英管中慢慢取出,使熔融状态的GaSb从盘的一端开始固化形成结晶。如欲制成半导体用GaSb时,所用原料盘及石英管均应是高纯度的制品,必要时可进行区域熔融提纯。 用于制造激光器,探测器,高频器件,太阳电池。
用途
用于制造激光器,探测器,高频器件,太阳电池。