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  • 氮化钽

    azanylidynetantalum

化合物简介

Tantalum nitride (TaN) is an inorganic chemical compound. It is sometimes used to create barrier or \"glue\" layers between copper, or other conductive metals, and dielectric insulator films such as thermal oxides. These films are deposited on top of silicon wafers during the manufacture of integrated circuits, to create thin film surface mount resistors and has other electronic applications.

基本信息

CAS:12033-62-4
中文别名
英文别名:Tantalum mononitride;nitridotantalum;Tantalum nitride;Tantalum nitride (TaN);
分子式:NTa
分子量:194.955
精确质量:194.951
Psa:23.79
Logp:0.01508

编号系统

PubChem号:24860112
EINECS号:234-788-4
MDL号:MFCD00049568

物化性质

熔点:3360°C

安全信息

WGK Germany:3

生产方法及用途

生产方法
1.将金属钽粉用氮气或氨气在1100℃左右直接氮化制得。 1.用来制造精确片状电阻的材料,氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。用作超硬质材料添加剂,可制备纯的五氯化钽:用于喷涂,增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性。
用途
1.用来制造精确片状电阻的材料,氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。用作超硬质材料添加剂,可制备纯的五氯化钽:用于喷涂,增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性。

合成路线

上游原料

下游产品

图谱

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