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化合物简介
Gallium(III) oxide (Ga2O3) is a chemical compound used in vacuum deposition and as part of the manufacturing of semiconductor devices.
基本信息
CAS：12024-21-4
中文别名：三氧化二镓;
英文别名：oxo(oxogallanyloxy)gallane;Gallium trioxide;Gallium oxide;Gallium(III) oxide;
分子式：Ga2O3
分子量：187.444
精确质量：185.836
Psa：43.37
Logp：-0.8426
中文别名：三氧化二镓;
英文别名：oxo(oxogallanyloxy)gallane;Gallium trioxide;Gallium oxide;Gallium(III) oxide;
分子式：Ga2O3
分子量：187.444
精确质量：185.836
Psa：43.37
Logp：-0.8426
编号系统
PubChem号：24846434
MDL号：MFCD00011020
RTECS号：LW9650000
EINECS号：234-691-7
MDL号：MFCD00011020
RTECS号：LW9650000
EINECS号：234-691-7
物化性质
外观与性状：白色无臭粉末
密度：5.88
熔点：1740ºC
折射率：1.92
稳定性：Stable. Incompatible with magnesium.
储存条件：库房通风低温干燥
密度：5.88
熔点：1740ºC
折射率：1.92
稳定性：Stable. Incompatible with magnesium.
储存条件：库房通风低温干燥
安全信息
安全说明：S24/25
生产方法及用途
生产方法
1.向三氯化镓GaCl3的热水溶液中加NaHCO3的高浓热水溶液,煮沸到镓的氢氧化物全部沉淀出来为止。用热水洗涤沉淀至没有Cl-为止,在600℃以上煅烧则得到β-Ga2O3。残留NH4Cl时,在250℃就和Ga2O3反应,生成挥发性GaCl3。 用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。 用作高纯分析试剂、半导体材料。
用途
用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。 用作高纯分析试剂、半导体材料。
1.向三氯化镓GaCl3的热水溶液中加NaHCO3的高浓热水溶液,煮沸到镓的氢氧化物全部沉淀出来为止。用热水洗涤沉淀至没有Cl-为止,在600℃以上煅烧则得到β-Ga2O3。残留NH4Cl时,在250℃就和Ga2O3反应,生成挥发性GaCl3。 用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。 用作高纯分析试剂、半导体材料。
用途
用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。 用作高纯分析试剂、半导体材料。